消息称三星下代400层v Nand 2026年推出，0a Dram采用vct结构凤凰网
Samsung May Introduce 400 Layer Nand In 2026 Rumor Zareason
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1200×750
Samsung Unleashes Memory Revolution 400 Layer Nand Mass Production On
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620×1100
Samsung 三星开始量产512gb Ufs Nand闪存：64层 V Nand，读取860mbs Moepc
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600×420
三星宣布36gbps Gddr7内存标准，旨在到2030年发布具有1000层的v Nand存储解决方案 Notebookcheck Cn
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2152×1600
三星完成 400 層堆疊 Nand Flash，最快 2025 年第二季量產 Technews 科技新報
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600×421
三星开始量产第8代v Nand，存储密度高达1tb 三星半导体官网
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5000×3750
【芯历史】日本没对韩国下死手还和这段历史有关；爆料称amd Ceo苏姿丰或今秋前往ibm赴任；三星开始生产100层v Nand闪存
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760×285
【各厂商nand Flash技术路径图】 1）主流厂商基本实现从2d Nand到3d Nand的产品转换， 三星电子 领 雪球
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800×517
三星将发布全新第九代 V Nand 储存技术，290层堆叠、32gbps 速率；第十代储存技术430层 发烧友
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750×503
消息称三星 Galaxy S24 S24 手机主摄沿用 5000 万像素 Gn3 传感器 通信终端 — C114通信网
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1024×576
三星电子推出990 Pro系列4tb Ssd：采用第八代 V Nand，顺序读写速度7450 Mbs、6900mbs Cfm闪存市场
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1053×647
消息称三星电子将调整半导体战略方向，扩大传统和特色工艺产能 半导体eda Eetop 创芯网
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933×624
